矽力杰申请沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法专利，倾斜的子侧壁提高了第二电极区的形成质量_电子应用

矽力杰申请沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法专利，倾斜的子侧壁提高了第二电极区的形成质量

创始人

2026-04-02 19:31:53

0次

国家知识产权局信息显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司申请一项名为“沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法”的专利，公开号CN121772233A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请实施例公开了沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法。沟槽电容包括沟槽结构。沟槽结构包括半导体区域、沟槽、电介质和第一电极区。电介质覆盖沟槽的底壁和至少部分内侧壁。第一电极区填充于包括该电介质的沟槽中。内侧壁包括连续的至少两段子侧壁，最上段的子侧壁基本垂直于半导体区域的上表面，剩余段的子侧壁倾斜于最上段的子侧壁。半导体区域包括半导体衬底、第一阱区和第二电极区。第一阱区形成于半导体衬底，并具有第一导电类型。第二电极区形成于第一阱区，环绕沟槽的轮廓，并具有第一导电类型。倾斜的子侧壁提高了第二电极区的形成质量，进而提高了沟槽电容的性能。

天眼查资料显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司，成立于2008年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6852万美元。通过天眼查大数据分析，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息71条，专利信息864条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法电极投资沟槽提高了电容结构专利半导体电极区矽力杰

上一篇：威腾电气：与孛璞半导体合作光电产品，布局数据中心重点产品

下一篇：京东方申请像素电路及其驱动方法专利，使得数据信号通过耦合子电路被耦合至第一节点

矽力杰申请沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法专利，倾斜的子侧壁提高了第二电极区的形成质量

相关内容

热门资讯