上海华力申请SONOS器件及其制造方法专利，避免存储器的GIDL漏电
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2025-07-29 15:41:12
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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“SONOS器件及其制造方法”的专利，公开号CN120390410A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SONOS器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该SONOS器件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上具有相邻接的ONO区域和保护区域；在保护区域上依次形成第二氧化层、第二氮化层和第三氧化层；在ONO区域上依次形成第一氮化层和第一氧化层；在第一氧化层上形成用于光刻的第一掩膜层，第一掩膜层所覆盖的区域小于ONO区域，保护区域及未被第一掩膜层覆盖的区域为TUN区域，ONO区域和TUN区域之间存在部分交叠。通过改善光刻和刻蚀流程，TUN区域和ONO区域交叠区域的氧化物会在制造存储管和选择管时，随之去除，无需修改工艺即可去除存储管和选择管之间的氧化物鼓包，避免存储器的GIDL漏电。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2081次，专利信息2337条，此外企业还拥有行政许可343个。
来源：金融界
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