合肥晶合申请一种半导体器件及其制作方法专利，提升饱和电流
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2025-07-29 16:10:54
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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN120390443A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：提供一衬底，衬底上形成有栅极结构及两侧的侧墙结构，在栅极结构两侧的衬底内形成有轻掺杂区和重掺杂区；在衬底上形成覆盖衬底、栅极结构和侧墙结构的第一刻蚀停止层；通过刻蚀第一刻蚀停止层内形成开口，开口暴露部分重掺杂区和至少部分栅极结构；在开口内形成补偿外延层，补偿外延层覆盖部分重掺杂区；至少金属化处理补偿外延层，形成金属硅化物层；在衬底和金属硅化物层上形成层间介质层；刻蚀层间介质层至金属硅化物层，形成连接孔；在连接孔内形成阻挡层和导电结构。通过本发明提供的半导体器件及其制作方法，能够提升饱和电流，提高半导体器件的性能和良率。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目629次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1176条，此外企业还拥有行政许可21个。
来源：金融界
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