中芯国际申请光电传感器及其形成方法专利，有利于使得光电传感器的形成工艺兼容性较好且工艺简单易形成_资源案例

中芯国际申请光电传感器及其形成方法专利，有利于使得光电传感器的形成工艺兼容性较好且工艺简单易形成

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2025-08-01 11:11:50

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金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“光电传感器及其形成方法”的专利，公开号CN120417516A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种光电传感器及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括相背的第一面和第二面，第二面为受光面，且基底包括感光像素区，感光像素区包括多个呈矩阵分布的像素单元区，基底的第一面上形成有器件层；从第一面一侧图形化器件层和基底，在相邻像素单元区之间部分厚度的基底中形成沟槽；在沟槽中形成隔光结构；从第二面去除部分厚度的基底，露出隔光结构；形成覆盖基底的第二面和隔光结构的透光层。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。

来源：金融界

企业制造显示信息中芯国际传感器集成电路工艺查大专利基底隔光中芯光电传感器

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