长晶科技申请半导体结构的制备方法专利，提升半导体器件的性能
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2025-08-05 15:16:22
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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，江苏长晶科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN120417413A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体结构的制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供基底；于基底的一侧形成第一半导体中间层，第一半导体中间层具有沟槽，沟槽内设有栅极介质层与栅极结构，第一半导体中间层具有第一导电类型；对第一半导体中间层形成图形化处理，形成第一开口，第一开口与栅极介质层间隔设置，第一开口自第一半导体层远离基底的一侧延伸至第一半导体层内部，剩余第一半导体中间层形成第一半导体层；填充第一开口，形成第二半导体层，第二半导体层具有第一导电类型。
天眼查资料显示，江苏长晶科技股份有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本43503.1732万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏长晶科技股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目69次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息90条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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