华为申请半导体结构及其制备方法、电子设备专利，降低半导体结构的记忆效应
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2025-08-06 15:11:11
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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN120435028A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低半导体结构的记忆效应。半导体结构包括由层叠设置的沟道层和势垒层组成的外延叠层，设置于势垒层远离沟道层一侧的源极、栅极以及漏极，设置于源极和漏极之间的离子注入区。其中，离子注入区自外延叠层靠近源极一侧的表面贯穿势垒层并延伸至沟道层内。本申请实施例提供的半导体结构的离子注入区改变了外延叠层内的晶格结构，使晶格界面发生变化，使得离子注入区内形成漏电通道，增加离子注入区的导通能力。此外，离子注入区内的部分掺杂离子能够带来额外的导电特性，使离子注入区的导电性增强，提高离子注入区的导通能力，进而降低半导体结构的记忆效应。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1516个。
来源：金融界
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