沈阳广泰申请半导体级二氧化硅真空烧结炉专利，提高加热效果和产品质量
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2025-08-16 18:13:23
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，沈阳广泰真空科技股份有限公司申请一项名为“一种半导体级二氧化硅真空烧结炉”的专利，公开号CN120488714A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体级二氧化硅真空烧结炉，包括：炉体，所述炉体中部开设有加热腔，所述炉体第一端上设置有后门体；拖料车，所述拖料车滑动设置于所述炉体内，所述拖料车上放置有工件；前门体，所述前门体设置于所述拖料车一侧，所述拖料车滑入所述加热腔内时，所述前门体对所述炉体第二端进行密封；本申请有益效果是通过压紧旋转组件的设置，能够对拖料车上的工件从两端进行固定，确保工件在加热过程中始终保持稳定，而且其还能够带动工件转动。在加热过程中，工件的转动能够使其受热更加均匀，提高加热效果和产品质量，拖料车的设置，能够实现自动化装卸工件，降低工作人员的劳动强度，提高工作效率。
天眼查资料显示，沈阳广泰真空科技股份有限公司，成立于2013年，位于沈阳市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本6734.25万人民币。通过天眼查大数据分析，沈阳广泰真空科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目107次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可27个。
来源：金融界
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