赢合智慧科技取得MOS晶体管组件专利，在反向偏置情况下有利于进一步缩小器件尺寸
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2025-08-16 18:14:47
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市赢合智慧科技有限公司取得一项名为“MOS晶体管组件”的专利，授权公告号CN223231509U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种MOS晶体管组件，包括：位于硅片下表面的N型掺杂漏极层和位于硅片上部的P型掺杂基极区，P型掺杂基极区和N型外延区内间隔地设置有至少2个器件单元，此器件单元进一步包括一位于P型掺杂基极区中的沟槽；栅极部进一步包括位于上部的上栅极子部和位于下部的下栅极子部，所述上栅极子部的底部与P型掺杂基极区的底部在同一平面上；相邻器件单元之间的P型掺杂基极区区域具有一P型离子注入部，此P型离子注入部上端与绝缘介质层接触，下端延伸至N型外延区内。本发明MOS晶体管组件在反向偏置情况下既有利于进一步缩小器件尺寸，也降了P型掺杂基极区和N型外延区接触面的漏电流，从而保证器件的寿命和可靠性。
天眼查资料显示，深圳市赢合智慧科技有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本30万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市赢合智慧科技有限公司财产线索方面有商标信息3条，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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