金融界2025年8月16日消息,国家知识产权局信息显示,应用材料公司申请一项名为“用于半导体制造设备表面的保护处理”的专利,公开号CN120500745A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,本案描述了半导体制造部件制备方法。在实施例中,方法包括在半导体制造部件的表面上形成第一层。第一层的特征在于大于或约0.01vol.%的孔隙度。方法进一步包括在第一层上沉积第二层,其中第二层的特征在于小于或约20vol.%的孔隙度。也描述了经处理半导体制造部件。在实施例中,经处理部件包括形成在半导体制造部件的表面中的第一层,其中第一层的特征在于大于或约0.01vol.%的孔隙度,及定位在第一层上的第二层,其中第二层的特征在于小于或约20vol.%的孔隙度。
来源:金融界