爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利，涉及半导体装置及制造半导体装置的方法
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2025-08-20 15:36:39
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金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120512894A，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置可以包括：基板；晶体管，其包括在基板上的栅电极和在基板中的结；通孔，其通过结穿过基板并包括与结接触的第一部分以及从第一部分延伸并且宽度小于第一部分的宽度的第二部分；以及绝缘间隔件，其围绕通孔的第二部分。
来源：金融界
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