长鑫科技申请半导体结构制备方法专利，电容结构在多个方向间隔设置提升集成度_资源案例

长鑫科技申请半导体结构制备方法专利，电容结构在多个方向间隔设置提升集成度

创始人

2025-12-31 16:36:41

0次

国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法及其半导体结构”的专利，公开号CN121240435A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，在基底内形成隔离结构，隔离结构间隔设置；在基底上形成堆叠结构，堆叠结构由第一层和第二层在第三方向上交替堆叠而成；形成叠层开口，叠层开口沿第三方向穿过叠层结构；形成第一基底开口，第一基底开口在叠层开口下方且延伸至基底内，叠层开口和第一基底开口构成第一开口，第一开口在基底的正投影位于隔离结构在基底的正投影内和/或第一开口在基底的正投影位于相邻隔离结构之间；去除部分第二层以形成第二开口，刻蚀第一基底开口以形成基底开口，叠层开口、基底开口和第二开口共同构成联合开口；在联合开口中形成电容结构，电容结构沿第一方向延伸且在第二方向和第三方向均间隔设置。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息640条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业间隔投资方向隔离电容导体结构集成度专利基底半导体叠层电容结构长鑫科技

上一篇：吾拾微电子完成Pre-A轮融资

下一篇：汉瑞微波取得适用于低频的高功率滤波器专利，解决了现有同类产品截止频率不精准等问题

长鑫科技申请半导体结构制备方法专利，电容结构在多个方向间隔设置提升集成度

相关内容

热门资讯