英特尔申请在封装结构中制造耦合同轴电感器方法专利，电感器包括在芯的侧壁上的磁性材料
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2026-01-01 15:40:50
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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“在封装结构中制造耦合同轴电感器的方法”的专利，公开号CN121237785A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，微电子集成电路封装结构包括具有芯的封装衬底和具有竖直延伸穿过芯的长度的电感器。电感器包括在芯的侧壁上的磁性材料和在磁性材料的侧壁上的第一导电衬垫，其中第一导电衬垫在正交于电感器的长度的平面中的一部分包括第一开口。在平面中的磁性材料的侧壁上的第二导电衬垫的一部分包括第二开口，其中第一开口和第二开口彼此面对并且分开一定距离。
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来源：市场资讯
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