长江存储申请三维存储器装置及其形成方法专利，导电层的至少一部分被夹在高k电介质层之间_资源案例

长江存储申请三维存储器装置及其形成方法专利，导电层的至少一部分被夹在高k电介质层之间

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2026-01-06 16:09:49

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器装置及其形成方法”的专利，公开号CN121286113A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，在某些方面中，一种三维（3D）存储器装置包括：沟道结构，其位于第一区域中；以及接触结构（106），其位于第二区域的电介质部分（107）中，并且包括垂直互连结构（202）以及与垂直互连结构接触的互连线（206）。第一区域和第二区域布置在第一方向上。3D存储器装置还包括在第一区域以及第二区域的导电部分中延伸的导电层。第二区域的电介质部分和导电部分布置在垂直于第一方向的第二方向上。接触结构的互连线在第二方向上延伸，并且与导电层接触。3D存储器装置还包括高介电常数（高k，612）电介质层以及在第二方向上位于导电层的互连线与高k电介质层之间的衬层插塞（702）。导电层的至少一部分被夹在高k电介质层之间。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1439次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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