长江存储申请半导体装置及其制造方法专利，实现相邻垂直晶体管半导体层的横向连接
创始人
2026-01-07 20:08:27
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121286110A，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，提供了半导体装置及其制造方法。半导体装置（300）包括垂直晶体管（330）以及与垂直晶体管对应耦合的杯形电容器（320），每个垂直晶体管包括半导体层（340）和耦合到半导体层的栅极结构（332，334）。每个垂直晶体管的半导体层包括沿垂直方向延伸的垂直部分（343）和沿横向方向（Y）从垂直部分的第一端延伸的横向部分（341，345）。在横向方向上两个相邻的垂直晶体管的半导体层的第一横向部分相互连接。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1439次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。
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来源：市场资讯
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