深圳镓楠半导体申请氮化镓HEMT器件制造方法专利，可形成差异化的2DEG浓度分布
创始人
2026-01-08 22:37:46
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国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种氮化镓HEMT器件的制造方法以及氮化镓HEMT器件”的专利，公开号CN121284991A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供了一种氮化镓HEMT器件的制造方法，包括以下步骤：提供外延结构；在所述外延结构上制备栅极；在所述栅极及外延结构表面，形成完全结晶态的极化增强钝化层；对全部或局部的所述极化增强钝化层进行表面氧化处理形成改性部，由此在相应区域调控二维电子气浓度分布。本申请的有益效果在于：极化增强钝化层的沉积厚度增加，工艺厚度可控性和监测能力增强；极化增强钝化层生长状态为结晶状态，材料结构稳定，极化参数更稳定；通过表面改性工艺可以精准控制氧化深度，工艺可量产性更强；表面改性可以进行局部图形化，可以形成差异化的2DEG浓度分布，器件设计窗口更大。
天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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