南亚科技取得栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及其制备方法专利
创始人
2026-01-09 14:37:42
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司取得一项名为“栅极结构上具有碳衬垫的半导体元件及其制备方法”的专利，授权公告号CN114792687B，申请日期为2021年11月。

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来源：市场资讯

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