国家知识产权局信息显示,艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“用于高速数据通信的基于INGAALP或INGAALAS的快速开关μ-LED”的专利,公开号CN121312293A,申请日期为2024年6月。
专利摘要显示,本发明涉及µ‑LED,该µ‑LED包括半导体层堆叠,该半导体层堆叠具有第一掺杂类型的第一层、第二掺杂类型的第二层和布置在第一层与第二层之间的有源区。半导体层堆叠包括底表面和顶表面以及连接顶表面和底表面的台面结构化侧表面,并且包括中心区,该中心区具有小于半导体层堆叠的横向尺寸的一半的横向尺寸。此外,半导体层堆叠包括包含磷化物和砷化物中的至少一种的材料,并且从第一层通过有源区到第二层的电流路径被限制到中心区。
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