湖北星辰技术申请半导体结构对准检测专利，电容值表征对准程度
创始人
2026-01-12 18:10:27
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国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体结构、对准检测方法、半导体器件”的专利，公开号CN121310976A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种半导体结构、对准检测方法、半导体器件。半导体结构包括：第一半导体结构，包括间隔设置的第一导电柱和第一标识；第一导电柱沿第一方向延伸；第一方向垂直于第一半导体结构所在平面；第一标识的材料包括导电材料；沿平行于第一半导体结构所在平面的方向，多个第一标识围绕第一导电柱间隔设置；其中，沿第二方向位于第一导电柱两侧的第一标识，与第一导电柱之间的间隔相等；第二方向平行于第一半导体结构所在平面。第一导电柱和一个第一标识共同构成一个电容器，电容器的电容值表征第一导电柱和一个第一标识的对准程度。
天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3680.3242万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目81次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息123条，此外企业还拥有行政许可28个。
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来源：市场资讯
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