菲卢克斯科技申请雪崩光电二极管器件专利，提升器件性能与可靠性
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2026-01-13 12:36:33
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国家知识产权局信息显示，菲卢克斯科技有限公司申请一项名为“雪崩光电二极管器件”的专利，公开号CN121312290A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本发明涉及雪崩光电二极管（APD）子组件和APD器件（100）。APD子组件包括：衬底（101）；形成在衬底（101）上的p‑型接触层（102）；n‑型接触层（102）；以及包含锑的雪崩层（106），雪崩层106被设置在p‑型接触层（102）和n‑型接触层（103）之间。APD子组件具有多级结构，包括第一级（107）和第二级（108）。第一级（107）包括n‑型接触层（103），以及第二级（108）包括雪崩层（106）。第一级（107）具有比第二级（108）更小的横截面面积，该横截面面积垂直于从衬底（101）到n‑型接触层（103）的方向。
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