唯捷创芯申请芯片负电荷快速泄放专利，提高芯片在反复上下电启动中的可靠性
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2025-08-16 17:40:27
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，上海唯捷创芯电子技术有限公司申请一项名为“负电荷泄放电路、芯片负电荷快速泄放方法及射频芯片”的专利，公开号CN120498434A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开了一种负电荷泄放电路、芯片负电荷快速泄放方法及射频芯片，该负电荷泄放电路包括泄放电路模块和控制信号模块；泄放电路模块包括第一PMOS管，第一PMOS管的源极接地，第一PMOS管的漏极与芯片的负压电位连接；控制信号模块的输入端用于接收使能信号，控制信号模块的输出端与第一PMOS管的栅极连接；控制信号模块用于根据接收的使能信号输出对应的控制信号，以控制第一PMOS管处于导通状态或截止状态；第一PMOS管用于在处于导通状态时，对芯片内部的负电荷进行泄放。
天眼查资料显示，上海唯捷创芯电子技术有限公司，成立于2012年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本63434.93万人民币。通过天眼查大数据分析，上海唯捷创芯电子技术有限公司参与招投标项目1次，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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