金融界2025年8月16日消息,国家知识产权局信息显示,朗姆研究公司申请一项名为“存储器应用的线挠曲控制”的专利,公开号CN120500037A,申请日期为2019年11月。
专利摘要显示,一种减少在存储器单元中的字线挠曲的方法包含:a)提供衬底,所述衬底包括多个字线,所述多个字线被配置成彼此相邻并且在多个晶体管上方;b)使用沉积工艺在所述多个字线上沉积膜层;c)在沉积所述膜层之后,测量字线挠曲;d)将所述字线挠曲与预定范围相比较;e)基于所述字线挠曲,调整所述沉积工艺的成核延迟和晶粒尺寸中的至少一者;以及f)使用一或更多衬底分别重复(b)到(e)一或更多次,直到所述字线挠曲在所述预定范围内。
来源:金融界