朗姆研究申请存储器应用的线挠曲控制专利，减少在存储器单元中的字线挠曲
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2025-08-16 19:40:38
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“存储器应用的线挠曲控制”的专利，公开号CN120500037A，申请日期为2019年11月。

专利摘要显示，一种减少在存储器单元中的字线挠曲的方法包含：a)提供衬底，所述衬底包括多个字线，所述多个字线被配置成彼此相邻并且在多个晶体管上方；b)使用沉积工艺在所述多个字线上沉积膜层；c)在沉积所述膜层之后，测量字线挠曲；d)将所述字线挠曲与预定范围相比较；e)基于所述字线挠曲，调整所述沉积工艺的成核延迟和晶粒尺寸中的至少一者；以及f)使用一或更多衬底分别重复(b)到(e)一或更多次，直到所述字线挠曲在所述预定范围内。

来源：金融界

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