苏州清煜半导体申请碳化硅单晶生长用坩埚装置等专利，过滤碳化硅粉料升华气体杂质
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2025-08-17 00:12:39
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，苏州清煜半导体科技有限公司申请一项名为“低碳包裹物的碳化硅单晶生长用坩埚装置、生长方法”的专利，公开号CN120485943A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种低碳包裹物的碳化硅单晶生长用坩埚装置、生长方法，包括坩埚本体、坩埚盖、碳化硅籽晶；所述坩埚本体的内部还设置有用于作为第一过滤器的多孔石墨筒；所述多孔石墨筒内部填充有用于作为第二过滤器的钽粒；所述多孔石墨筒的上方设置有遮板环和用于作为第三过滤器的多孔石墨板；所述多孔石墨筒的外侧壁与所述坩埚本体的内壁之间形成用于容纳碳化硅粉料的填料腔。该坩埚装置能够通过多孔石墨筒、钽粒及多孔石墨板对碳化硅粉料升华产生的气体组分进行过滤，将气体组分中的碳颗粒及其他杂质颗粒过滤除去；解决了现有技术中存在的现有坩埚装置生长的碳化硅单晶中存在碳包裹物、微管、位错等缺陷等问题。
天眼查资料显示，苏州清煜半导体科技有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州清煜半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，专利信息6条。
来源：金融界
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