华辰芯光申请可选通多波长半导体激光器芯片结构专利，实现不同波长的激光可选通输出
创始人
2026-01-03 16:09:17
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国家知识产权局信息显示，华辰芯光（无锡）半导体有限公司申请一项名为“一种可选通多波长半导体激光器芯片结构及其制造方法”的专利，公开号CN121261206A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体激光器制造技术领域。具体涉及一种可选通多波长半导体激光器芯片结构及其制造方法。可选通多波长半导体激光器芯片结构包括：激光器基体，包括衬底、衬底上的缓冲层，以及缓冲层上层叠的电光转换结构层；相邻的电光转换结构层之间通过隧道结连接；各电光转换结构层的激射波长不同；顶部的电光转换结构层上设置有欧姆接触层；若干自欧姆接触层向缓冲层延伸的隔离槽，将激光器基体分隔成若干电光转换部；不同的隔离槽深入至不同的电光转换结构层，使不同的电光转换部包含的电光转换结构层数量不同；不同的电光转换部顶部均设置有正电极层，且不同的电光转换部分别连接不同位置的负电极层/负电极，适于连接外部电路。
天眼查资料显示，华辰芯光（无锡）半导体有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，华辰芯光（无锡）半导体有限公司参与招投标项目7次，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可20个。
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来源：市场资讯
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